一、课题组简介:
功率芯片研究室是以浙大电气工程学院盛况教授团队为核心成立的,是国内高校中较早开展宽禁带半导体功率芯片研究的团队之一,研究方向包括碳化硅功率芯片、超宽禁带半导体功率芯片、先进散热、封装与应用等,碳化硅功率芯片小组负责人为浙大电气工程学院任娜研究员。2020年研究室建设完成一条国际先进的6?继蓟?韫β市酒?ㄓ霉ひ障撸?械A颂蓟?韫β市酒?煊虻亩喔龉?抑氐阊蟹⒓苹?⒐?易匀豢蒲Щ?稹⒄憬?≈氐阊蟹⒓苹?钅浚?⒂肫笠党闪⒘颂蓟?韫β势骷?际趿?鲜笛槭摇?/p>
盛况教授,国家杰出青年基金获得者,浙江大学求是特聘教授,博士生导师现任浙江大学电气工程学院院长,浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院院长。盛教授长期从事硅和宽禁带半导体功率芯片、封装及应用研究,包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用,2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
任娜研究员,浙江大学电气工程学院特聘研究员、博士生导师,浙江大学杭州国际科创中心双聘学者、青年卓越人才计划入选者,长期从事碳化硅功率器件的相关研究,包括器件结构设计、工艺制造、芯片研制、抗辐射可靠性加固等方向。在器件领域国际知名期刊与会议上共发表70余篇论文,拥有20余项碳化硅功率器件领域的发明专利,并获得首届浙江省知识产权奖三等奖。
二、研究方向:
1.碳化硅MOSFET器件:碳化硅平面栅MOSFET、碳化硅沟槽栅MOSFET、关键工艺制造技术、大电流芯片研制技术;
2.新型碳化硅功率器件:碳化硅浮空结/超级结器件、碳化硅功率集成器件、高压大功率碳化硅器件;
3.碳化硅功率器件辐射效应与抗辐射加固:碳化硅功率器件辐射效应机理、抗辐射加固结构设计与工艺制造方法。
三、博士后招聘条件及要求:
1.具有微电子、电气、信电、光电、材料等相关专业研究背景。
2.近三年内获得博士学位或入职前可以获得博士学位,以第一作者发表过SCI文章。
3.对科研工作有浓厚的兴趣,有较强科研素养和英文读写能力。
4.具备较强的独立科研能力、良好的敬业精神和团队合作精神。
5.年龄在35周岁及以下,身心健康,可全职从事博士后研究工作。
四、职业发展与薪酬待遇:
1.具体面议,同时可享受地方政府免税人才补助15万元/年(外籍人才可享受17.5万元/年。);应届博士毕业生,符合条件者可额外享受10万元杭州市应届生人才补贴。
2.提供一流的实验与科学研究条件,共享浙江大学顶尖学术生态体系。
3.提供专项科研经费支持;对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的,分别给予相应配套资助和奖励;对生源优秀或取得标志成果的博士后,给予额外奖励(相关奖励可叠加)。
4.符合条件的,可申报博士后海外引才专项,享受三年生活补助和安家费相关政策。
5.表现优秀、业绩突出者,如符合相应要求,可优先推荐申请科创中心青年人才、技术研发等岗位。
6.在站期间,符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务;出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称,并可获得地方政府80万人才补贴。
7.出站后留杭或萧山工作的,可申请杭州市D类人才或萧山区政府相应人才政策。
8.符合条件者可享受科创中心人才房政策。
9.协助解决子女教育入学、办理落户、政府人才配套用房申请、人才项目申报、人才认定等。
10.提供一流的科研条件和博士后联谊会交流平台,享受园区一站式保障服务,如食堂、健身房、体育馆等。
五、应聘方式:
1.提供详细的个人简历,以及表明研究能力和学术水平的成果(如:学术论文、项目、获奖情况等)及佐证材料。
2.应聘者请将材料电子版发送至科创中心人力资源部邮箱:hic@zju.edu.cn,或先进半导体研究院邮箱:ldl1125@zju.edu.cn,附件和邮件主题均以“功率芯片研究室+博士后+姓名 ”标明。
应聘者的申请材料将严格保密,初审通过者将安排面试。
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